Internacional.- El año que viene, uno de los smartphones que se pondrá a la venta y que ya está causando expectación es el Samsung Galaxy S9, para el cual Samsung Electronic ha anunciado ya el comienzo de la producción en serie de la primera solución de almacenamiento flash universal (eUFS) integrado de 512GB para uso en dispositivos móviles de próxima generación.
Es por eso por lo que, gracias a los últimos chips V-NAND de Samsung de 64 capas y 512GB, el nuevo chip eUFS de 512GB proporciona una capacidad de almacenamiento sin precedente y un rendimiento excepcional para los próximos smartphones y tablets.
Tal y como ha explicado Jaesoo Han, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria de Samsung Electronics, “el nuevo Samsungo eUFS 512GB proporciona la mejor solución de almacenamiento integrado para smartphones premium de última generación, superando las limitaciones potenciales en el rendimiento del sistema que pueden ocurrir con el uso de tarjetas micro SD”.
El nuevo modelo de smartphone de Samsung, el Galaxy S9 contará también con un conjunto de tecnologías patentadas como un diseño de circuito de V-NAND de 64 capas y la nueva tecnología de gestión de potencia del controlador, algo que harán que se minimice el aumento en el consumo de energía.
En sus comunicados, Samsung solo habla del nuevo eUFS aunque lo cierto es que todo parece indicar que será el nuevo Samsung Galaxy S9 el primer smartphone de la compañía en estrenar esta capacidad de almacenamiento, así que no es de extrañar que se vea una nueva variante de 512GB del próximo smartphone estrella de Samsung.
